Número de Producto del Fabricante:
TSM80N08CZ C0G
Product Overview
Fabricante:
Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza:
TSM80N08CZ C0G-DG
Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 75V 80A TO220
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 80A (Tc) 113.6W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12896690
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ENVIAR
TSM80N08CZ C0G Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
80A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
91.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3905 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
113.6W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
TSM80
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
TSM80N08CZ C0G-DG
TSM80N08CZC0G
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF1010EZPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
9758
NÚMERO DE PIEZA
IRF1010EZPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.57
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
DMNH6008SCTQ
FABRICANTE
Diodes Incorporated
CANTIDAD DISPONIBLE
311
NÚMERO DE PIEZA
DMNH6008SCTQ-DG
PRECIO UNITARIO
0.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
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